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[[传感器考前划重点#第六章 磁电]]

概览磁电

磁电式传感器是利用电磁感应原理,将输入运动速度或磁量的变化变换成感应电势输出的传感器。它不需要辅助电源。只适合进行动态测量

变磁

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变磁的平移式和变气隙比较区分,一个是能量控制一个是能量转换

磁电式与电感式区别

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恒磁

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感应电势e=Blve=Blv,灵敏度S=ev=BlS=\frac{e}{v}=Bl

霍尔

霍尔效应

在半导体薄片中通以电流 I ,在与薄片垂直方向加磁场 B,则在半导体薄片的另外两端,产生一个大小与控制电流 I 和 B 乘积成正比的电动势,这种现象称为霍尔效应。该电势称为霍尔电势,该薄片称为霍尔元件。

霍尔元件工作原理

公式推导

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洛伦兹力FL=evBF_L=-evB
霍尔电场的电场力FE=eEH=EUHwF_E=-eE_H=-E\frac{U_H}{w}
FL=FEF_L=F_E,达到平衡,UH=wvBU_H=wvB
又因为I=nevwdI=-nevwd,代入得

UH=IBnedU_H=-\frac{IB}{ned}

式中:n为单位体积内自由电子数(载流子浓度)。

霍尔常数

霍尔常数RH=1neR_H=-\frac{1}{ne},则UH=RHIBdU_H=R_H\frac{IB}{d}
霍尔常数由半导体材料性质决定。

霍尔片的灵敏度

KH=RHdK_H=\frac{R_H}{d},则UH=KHIBU_H=K_HIB
KHK_H称为霍尔片的灵敏度,就是在单位磁感应强度和单位控制电流作用时,所能输出的霍尔电势的大小。
霍尔元件的厚度越小,其灵敏度越高。

为什么选用半导体

RH=ρμR_H=\rho\mu

金属材料电子μ很高但ρ很小;
绝缘材料ρ很高但μ很小;
故为获得较强霍尔效应,半导体材料为最佳霍尔传感器的材料。

霍尔元件的使用

为了获得较大的霍尔输出电势,可以采用几片叠加的连接方式。
霍尔器件是一种四端器件,本身不带放大器。
霍尔电势一般在毫伏量级,在实际使用时必须加差分放大器
霍尔元件大体分为线性测量开关状态两种使用方式。